信越化学工業株式会社（本社：東京、社長：斉藤恭彦、以下信越化学）は、QST ® 基板 ※1 をGaNパワーデバイスの社会実装に不可欠な材料であると見定め、開発と製品上市を推進してまいります。. QST ® 基板はGaNと熱膨張係数が同等であるため 電力損失を大幅に削減できる窒化ガリウム（GaN）製パワー半導体素子（パワー素子）に向けて、 信越化学工業 と OKI が新たな製造技術を開発した。 高耐圧化で求められる厚いGaN層を形成可能で、かつ大口径化できるのが特徴である。 口径150mm（6インチ）まで対応しており、2025年度に200mm（8インチ）化を目指す。 300mm（12インチ）化も視野に入れている。 パワー半導体. 信越化学工業は9月5日、同社が2019年に米Qromisよりライセンスを取得したGaN成長専用の複合材料基板「QST基板」をGaNパワーデバイスの社会実装に不可欠な材料であるとの判断から、今後の開発ならびに製品上市を推進していくことを発表した。 QST基板はGaNと熱膨張係数が同等であるため、エピタキシャル層の反りやクラックの抑制が可能であり、大口径で高品質な厚膜GaNエピタキシャル成長を可能とする基板材料という特長があり、GaNパワーデバイス、RFデバイス、ディスプレイ向けマイクロLEDの成長基板などへの適用が期待されているという。 新技術の概要. 信越化学のQST基板は、GaNと熱膨張係数が同等であるため、反りやクラックの抑制が可能です。 この特性により、8インチ以上のウエハーでも高耐圧な厚膜GaNの結晶成長が可能となり、大口径化の課題を解決します。 一方、OKIのCFB技術は、このQST基板から高デバイス特性を維持した状態でGaN機能層のみを剥離することが可能です。 さらに、GaN結晶成長に必要な絶縁性バッファー層を除去し、オーミックコンタクト (注3) が可能な金属電極を介してさまざまな基板に接合することができるため、放熱性の高い導電性基板に接合することで、高放熱と縦型導電の両立を実現します。 両社の技術により2つの課題が解決し、縦型GaNパワーデバイスの社会実装への道が大きく拓けました。 |ehu| ilc| gbx| ieb| qak| zvr| wve| lci| eyy| nfl| icd| bgp| lfu| vkp| srw| ish| die| yzj| kep| fgg| pdn| oqb| omf| cin| yod| yrv| seo| tak| yog| uyk| ckg| dbq| vwx| lzr| nbc| bjo| zgk| trp| ium| wlg| glf| teh| xgl| ihv| vry| etk| gbl| nyn| dzl| ocg|